IT之家4月22日消息，集邦咨询Trendforce今天(4月22日)发布博文，报道称SK海力士在美国印第安纳州开始动工建设首座半导体先进封装工厂，投资约38.7亿美元(IT之家注：现汇率约合264.57亿元人民币)，计划2028年下半年投产，主要生产第七代和第八代HBM(HBM4E和HBM5)。

　　消息称该工厂主要满足AI算力对高带宽内存的激增需求，以生产第七代HBM4E和第八代HBM5为主。SK海力士已于4月17日通知当地社区启动地基打桩作业，预计持续数月，2026年下半年进入主体建筑施工阶段。

　　除美国扩张外，SK海力士同步加码韩国本土产能。公司计划投资约19万亿韩元在清州建设下一代先进封装工厂(P&T7)，预计2027年底完工。DRAM产能扩张也在加速推进，清州M15X工厂将于3月四期洁净室启用后安装设备，龙仁半导体集群首座工厂洁净室计划2027年2月完工。